BSZ215CHXTMA1

功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

制造商:infineon technologies

系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS?

包装:带卷(TR)

零件状态:有效

FET 类型:N 和 P 沟道互补型

FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动

漏源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.1A, 3.2A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):55 毫欧 @ 5.1A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 110μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):2.8nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):419pF @ 10V

功率 - 最大值:2.5W

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3)

标准包装:5,000

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